半导体材料研究所

发布者:admin发布时间:2006-01-25浏览次数:73315

   半导体材料研究所起源于1954年在无线电系(原)建立的半导体材料研究小组,由已故中国科学院院士、澳门娱乐游戏原副校长阙端麟教授创办,是我国最早开展半导体材料研究的单位之一。1978年,由无线电系(原)调整进入材料系。在半导体材料研究所的基础上,获得国家第一批“半导体材料”硕士点,第一个“半导体材料”博士点,第一个“半导体材料”国家重点学科;以研究所为基础,成立了“硅材料国家重点实验室”,并主要参与创办了澳门娱乐游戏第一个上市公司。

该所1959年开始,以半导体硅材料作为主攻方向;1980年代后期,开展了半导体薄膜材料研究。近60年来,研究所在高纯硅烷的提纯和制取、高纯硅的提纯和制备、探测器级硅单晶的研究和开发、硅单晶中碳、氧的控制、硅单晶的电学测量、减压充氮生长直拉硅单晶生长技术、微量掺氮直拉硅单晶的缺陷控制、ZnO薄膜的制备和p型掺杂、纳米半导体的生长和制备等方面取得了系列重大成果。研究所曾获得国家自然科学二等奖3项,国家发明二等、三等奖3项、何梁何利科技奖1项,中国青年科技奖1项,以及浙江省科技重大贡献奖、信息产业重大技术发明奖、国家专利优秀奖、省科技(发明)一等奖等20多项省部级科技奖。研究所在NatureNature CommunicationsMaterial Science and Engineering ReportChemical Society Review,Advanced MaterialsPhysical Review Letters等国际著名杂志发表SCI论文1000多篇,获得国家发明专利200多项。在半导体硅材料、ZnO薄膜材料等研究领域处于国内领先地位,并具有国际声誉。

该所主要研究:

  • 半导体硅材料:主要研究超大规模集成电路用直拉硅单晶材料的生长、加工和缺陷工程,太阳能光伏硅材料的提纯、制备、缺陷和电池工艺中的材料问题,硅基光电子材料与器件,纳米硅(颗粒、线、管)的制备、表征和应用。

  • 半导体薄膜材料:主要研究半导体薄膜材料的制备、性能调控及在能源领域的应用,着重研究ZnO      薄膜的p型掺杂与和电致发光,高品质透明导电薄膜制备与应用,以及化合物半导体纳米结构材料可控生长与性能。

  研究所以中科院院士杨德仁教授、叶志镇教授为学术带头人,有教职员工20多人。目前拥有中国科学院院士2人、国家杰出青年基金获得者1人、教育部长江学者特聘教授1人,浙江省特级专家2人,国家“百千万人才”2人,国家优秀青年基金获得者3人,国家万人计划领军人才1人、青年拔尖人才1人,教育部跨(新)世纪人才基金获得者3人,浙江省“151人才”近10人。拥有国家基金委创新研究群体1个、科技部重点领域创新团队1个、教育部长江学者创新团队1个和浙江省重点科技创新团队2个。

 

 

  所 长:杨德仁,0571-87951667mseyang@zju.edu.cn

  副所长:彭新生()0571-87951958pengxinsheng@zju.edu.cn

  副所长:马向阳,0571-87951409mxyoung@zju.edu.cn

  副所长:何海平,0571-87952124hphe@zju.edu.cn

  实验室主任:樊瑞新,0571-87952096frx2@zju.edu.cn

 研究所办公室:0571-87951667 Email: silab@cmsce.zju.edu.cn